特許

J-GLOBAL ID：200903090057493288

ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置

発明者： 梶田 直幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230549
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072289
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜形成時のチャージアップを抑制して、平坦性のよいDLC薄膜を得る。【解決手段】 真空槽1中でガスイオン源10に対向して、薄膜を形成する基材3を配置し、基材3の近傍に中和機構10を設ける。中和機構10は、第2の熱電子放出手段21、およびこれと基材3との間に設けられた第2の熱電子引出し電極22を備え、両者間には第1のバイアス電源40により電圧が印加され、第2の熱電子引出し電極22が正にバイアスされる。

請求項（抜粋）：

基材にダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する薄膜形成装置において、内部を所定の真空度に保持して上記基材を収容する真空槽と、上記基材に対向して設けられて解離された炭素と炭素イオン、および解離された水素と水素イオンを発生させるガスイオン源と、上記基材の近傍に設けられて上記基材に電子を供給する中和機構とを備えたことを特徴とするダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

C30B 29/04 L ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50