特許

J-GLOBAL ID：200903090060284088

半導体レーザの製造方法

発明者： 小林 俊雅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293737
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144989
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 レーザ光の前方出力側を示すマークを形成することによりレーザ光の前方出力方向を1方向に特定することができる半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 オフ角基板の上に複数の結晶層を成長させたのち上面および底面に電極をそれぞれ形成する。上面の電極17aはストライプ14aの延長方向に向かって矢印形とし、矢印により示したほうをレーザ光の前方出力側と設定する。この矢印により示した端面10aにレーザ光の前方出力を制御する反射率制御膜18aを形成し、反対側の端面10bにレーザ光の後方出力を制御する反射率制御膜18bを形成する。これにより、半導体レーザ10の前方出力方向が1方向に特定され、2種類の半導体レーザ10が形成されることを回避できる。

請求項（抜粋）：

オフ角基板の上に複数の結晶層を成長させることにより半導体レーザを製造する半導体レーザの製造方法であって、レーザ光の前方出力側を示すマークを形成することによりレーザ光の前方出力側を設定することを特徴とする半導体レーザの製造方法。