特許

J-GLOBAL ID：200903090065060692

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦 ,  張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187097
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031498
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 新規な薄膜トランジスタの構成を提供する。【解決手段】 基板の絶縁表面上に、ソース領域及びドレイン領域、ソース領域及びドレイン領域の間のチャネル形成領域、及び、チャネル形成領域とソース領域の間及びチャネル形成領域とドレイン領域の間の不純物添加領域を有する多結晶層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して設けられた金属でなるゲイト電極と、前記ゲイト電極の側面に設けられた前記不純物添加領域上の金属酸化物層と、前記ゲイト電極上に形成されたバリア層と、を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の絶縁表面上に、ソース領域及びドレイン領域、ソース領域及びドレイン領域の間のチャネル形成領域、及び、チャネル形成領域とソース領域の間及びチャネル形成領域とドレイン領域の間の不純物添加領域を有する多結晶層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して設けられた金属でなるゲイト電極と、前記ゲイト電極の側面に設けられた前記不純物添加領域上の金属酸化物層と、前記ゲイト電極上に形成されたバリア層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A