半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303962
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】トレンチゲートを有する横型のMOSFETを備えた半導体装置のオン抵抗を低減する。また、この半導体装置の製造工程の削減を図る。【解決手段】 N-型ドリフト層6の表層にトレンチ27、及びトレンチ27にゲート酸化膜28を介して形成されたトレンチゲート電極29を備え、トレンチ27に隣接して形成されたP型ベース領域31と、P型ベース領域31の表層に形成されたN型ソース領域32を有する構造とする。このとき、トレンチ27が、N型ソース領域32のN型ドレイン領域33に近い側の端部32aから、N型ドレイン領域33から離れた側の端部32bまで横切る状態で、P型ベース領域31及びN型ソース領域32と接する構造とする。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に形成された第1導電型の第1半導体層(5)と、前記第1半導体層(5)上に形成され、前記第1半導体層(5)よりも低い不純物濃度とされた第1導電型の第2半導体層(6)とを有する半導体基板(4)と、前記第2半導体層(6)の表層に形成され、前記第1半導体層(5)と電気的に接続された第1導電型のドレイン領域(33、51、101、113)と、前記第2半導体層(6)の表面から所定深さにて形成されたトレンチ(27、71、91)と、該トレンチ(27、71、91)内にゲート絶縁膜(28、72、92、106、116)を介して形成されたゲート電極(29、73、93、107、117)と、前記第2半導体層(6)の表層にて、前記ドレイン領域(33、51、101、113)と離間して、前記トレンチ(27、71、91)と接して形成された第2導電型のベース領域(31、81、103、112)と、前記ベース領域(31、81、103、112)内の表層にて、前記トレンチ(27、71、91)と接して形成された第1導電型のソース領域(32、104、118)と、前記ドレイン領域(33、51、101、113)と電気的に接続された第1電極(38)と、前記ソース領域(32、104、118)と電気的に接続された第2電極(37、115)とを有してなるトランジスタを備え、前記ベース領域(31、81、103、112)のうち、前記ソース領域(32、104、118)の下側に位置する領域(42)が前記トレンチ(27、71、91)と接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/78 , H01L 21/331 , H01L 21/8222 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/08 331 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/732 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 618 C , H01L 27/06 321 A , H01L 27/06 101 U , H01L 29/72 P , H01L 29/58 G

Fターム (116件)：

4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F003AZ03 , 5F003BA29 , 5F003BB06 , 5F003BC01 , 5F003BC08 , 5F003BE01 , 5F003BE02 , 5F003BE09 , 5F003BE90 , 5F003BF01 , 5F003BG01 , 5F003BH01 , 5F003BH11 , 5F003BH18 , 5F003BJ15 , 5F003BP23 , 5F003BP24 , 5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AA10 , 5F048AC05 , 5F048AC06 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC11 , 5F048BD04 , 5F048BD05 , 5F048BD07 , 5F048BF02 , 5F048BF18 , 5F048BG05 , 5F048BG14 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048DA06 , 5F048DA08 , 5F048DA13 , 5F048DA15 , 5F082AA04 , 5F082AA11 , 5F082BA05 , 5F082BA11 , 5F082BA23 , 5F082BA26 , 5F082BA31 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082DA03 , 5F082EA08 , 5F082EA09 , 5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110EE47 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG30 , 5F110GG34 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HJ13 , 5F110HJ30 , 5F110HL03 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110NN71 , 5F110NN78 , 5F140AA30 , 5F140AB03 , 5F140AB07 , 5F140AC21 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BB05 , 5F140BC06 , 5F140BC10 , 5F140BD05 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BH25 , 5F140BH27 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK07 , 5F140BK13 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199546 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-186545 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-126004 出願人：日産自動車株式会社

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