特許
J-GLOBAL ID：200903090071459254
発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090638
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 低電流域での大きい輝度比及び電流対輝度比に於ける直線性を有する発光ダイオードを提供する。【構成】 1×1017cm-3以下の不純物濃度を有するP型GaAlAsクラッド層と、その上に0.1〜2×1019cm-3の不純物濃度を有するP型GaAlAs活性層と、その上に0.5〜4.9×1016cm-3の不純物濃度を有するN型GaAlAsクラッド層を形成する。
請求項（抜粋）：
P型GaAlAsクラッド層と、その上に積層されるP型GaAlAs活性層と、その上に積層されるN型GaAlAsクラッド層とを具備する発光ダイオードに於て、前記P型GaAlAsクラッド層の不純物濃度が1×1017cm-3以下であり、かつ前記活性層の不純物濃度が0.1〜2×1019cm-3であり、かつ前記N型GaAlAsクラッド層の不純物濃度が0.5〜4.9×1016cm-3である事を特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
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