特許
J-GLOBAL ID：200903090073765344
受光素子及び受光素子の使用方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344697
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190885
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、電極の配線の延長による応答速度の低下を抑えて各容量結合を防止することを目的とする。【構成】 この発明は、電極40が延長して形成される部分における絶縁膜30の下の半導体基板10の表面付近に形成された第2導電型の接合容量低下用不純物拡散領域50を備えたものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面付近に形成された第2導電型の受光用不純物拡散領域と、前記半導体基板の表面に形成された絶縁膜と、前記受光用不純物拡散領域に接続するように前記絶縁膜上に形成された電極とを有する受光素子において、前記電極が延長して形成される部分における前記絶縁膜の下の前記半導体基板の表面付近に形成された第2導電型の接合容量低下用不純物拡散領域を備えたことを特徴とする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 B
