半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330399
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165470
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】少なくとも2種類の半導体からなるSiGeなどの半導体層の表面を所望の形状に酸化処理を施す半導体装置及びこの酸化処理を効率的に行うことができる製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜上に第1の半導体と第2の半導体からなるSiGeなどの導電膜(ゲート電極107)を形成し、次に、前記第1の半導体が酸化し前記第2の半導体が酸化しない雰囲気で熱処理を行って、前記導電膜上に前記第1の半導体の酸化膜(側壁絶縁膜109)を形成する。また、半導体基板上の2種類以上の半導体からなるSiGeなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜(ゲート酸化膜)を形成する。ゲート酸化膜形成後の薬液処理や熱処理耐性の高いゲート酸化膜が得られる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域間のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板上に形成され、前記ゲート電極の側壁に形成された側壁絶縁膜とを具備し、前記ゲート電極は、SiGeからなり、前記ゲート電極側壁には前記ゲート電極表面を酸化して得られる側壁絶縁膜が形成され、且つこの側壁絶縁膜はシリコン酸化膜を主成分とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L21/316 S , H01L29/78 301B , H01L27/08 321D

Fターム (84件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F048DA24 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F058BA08 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF60 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BG43 , 5F140BG49 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF04 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体素子及びその配線の形成方法とゲート電極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192725 出願人：松下電器産業株式会社

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