特許
J-GLOBAL ID：200903090077125005
半導体Si基板および半導体Si基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015340
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326044
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 Si半導体素子の製造プロセスにおいて、反りや熱処理によるストレス発生の恐れが大幅に低減され、信頼性および歩留まり良好に、所要の半導体素子化し得る半導体Si基板およびその製造方法の提供を目的とする。【構成】 半導体Si基板は、酸素析出物が生成された半導体Si基板であって、前記酸素析出物に含まれている酸素原子が 5×1010個以上で、酸素析出物の密度が2×108 個/cm3 以下であること、あるいは前記酸素析出物に含まれている酸素原子が 5×1010個未満で、酸素析出物の密度が 2×1010個/cm3 以下であることを特徴とする。また、この発明の半導体Si基板の製造方法は、いわゆるチョクラルスキー(Czochralski)法によるSi単結晶の成長において、 800〜1000°C間の平均昇温速度をV1 [°C/min ] 、Si単結晶引上げ速度 V2 [mm/min ] としたとき、次式V2 ≧ 2× V1 2 + V1 +39を満たすように、前記平均昇温速度および単結晶引上げ速度を設定して成長させたSi単結晶をウェーハー化することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸素析出物が生成された半導体Si基板において、前記酸素析出物に含まれている酸素原子が 5×1010個以上で、その酸素析出物の密度が 2×108 個/cm3 以下であることを特徴とする半導体Si基板。
IPC (4件)：
H01L 21/208
, C30B 15/20
, C30B 29/06
, H01L 21/02
