多値不揮発性メモリ用レファレンス回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228478
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069791
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】メモリセルの書込データをさらに多値化することを可能にする。【解決手段】3種類以上の閾値電圧からデータとして選択される閾値電圧に設定される浮遊ゲートトランジスタMCでメモリセルが構成され、ベリファイモードで段階的に変化するベリファイ電圧をトランジスタMCの制御ゲートおよびドレイン間に供給し、トランジスタMCのドレイン電流と各段階のベリファイ電圧に対応する基準電流との差からデータを判定する多値不揮発性メモリにおいて、ダミーセルを構成する浮遊ゲートトランジスタDC1,DC2をそれぞれ含み、各段階のベリファイ電圧がトランジスタDC1,DC2の制御ゲートおよびドレイン間に供給されたときに基準電流として互いに異なるドレイン電流を発生する基準電流発生部130A,130Bを設け、トランジスタDC1,DC2にチャネル不純物濃度差によって決定された互いに異なる閾値電圧を持たせる。

請求項（抜粋）：

3種類以上の閾値電圧からデータとして選択される閾値電圧に設定される浮遊ゲートトランジスタでメモリセルが構成され、ベリファイモードにおいて段階的に変化するベリファイ電圧を前記メモリセルの浮遊ゲートトランジスタの制御ゲートおよびドレイン間に供給し、この浮遊ゲートトランジスタのドレイン電流と各段階のベリファイ電圧に対応する基準電流との差から前記データを判定する多値不揮発性メモリ用のレファレンス回路であって、前記メモリセルと等価なダミーセルを構成する浮遊ゲートトランジスタをそれぞれ含み、各段階のベリファイ電圧がこれら浮遊ゲートトランジスタの制御ゲートおよびドレイン間に供給されたときに前記基準電流として互いに異なるドレイン電流を発生する複数の基準電流発生手段を備え、これらダミーセルの浮遊ゲートトランジスタがチャネル不純物濃度差によって決定された互いに異なる閾値電圧を持つことを特徴とする多値不揮発性メモリ用レファレンス回路。

IPC (3件)：

G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 17/00 308 , G11C 17/00 309 E , H01L 27/10 434

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