特許
J-GLOBAL ID:200903090081556517
光電変換効率が良好で耐久性に優れた光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-290467
公開番号(公開出願番号):特開2002-100420
出願日: 2000年09月25日
公開日(公表日): 2002年04月05日
要約:
【要約】【課題】 本発明の目的は、優れた光電変換効率と安定性とを両立する光電変換材料用半導体並びに光電変換素子を提供することにある。さらに、この光電変換材料用半導体および光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。【解決手段】 窒素アニオンと金属カチオンとで形成されるイオン性の配位結合と、窒素原子またはカルコゲン原子と金属カチオンとの間に形成される配位結合の両方を有する有機金属錯体から選ばれる少なくとも一種の有機金属錯体により増感されたことを特徴とする光電変換材料用半導体。
請求項(抜粋):
窒素アニオンと金属カチオンとで形成されるイオン性の配位結合と、窒素原子またはカルコゲン原子と金属カチオンとの間に形成される配位結合の両方を有する有機金属錯体から選ばれる少なくとも一種の有機金属錯体により増感されたことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (8件):
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS05
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE06
, 5H032EE17
, 5H032EE20
引用特許: