特許

J-GLOBAL ID：200903090081650343

酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法

発明者： ウィリアム・アール・ブランスヴォルド ,  プレムラサ・ジャガナサン ,  スティーブ・エス・ミウラ ,  メルヴィン・ワレン・モントゴメリー ,  ハーバンス・エス・サシュデブ ,  ラトナム・スーリヤクマラン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-184311
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：

【要約】【目的】 DUV,X線,またはe-ビームリソグラフィにおいて、描画層として用いられるシリコン層有ポジ形レジストの合成方法を提供する。【構成】 本発明のポジ形レジストは、溶解インヒビタおよび感光酸ジェネレータとしての酸感応ペンダント基を有するアリルシルセスキオキサンポリマを含んでいる。

請求項（抜粋）：

【化1】(式中、mは0または1、nは少なくとも3、Rの少なくとも約15%がt-ブチルオキシカルボニル基、残りのRは、水素基またはt-ブチルオキシカルボニル基である)で表される酸感応ポリマ。

IPC (3件)：

C08G 77/38 NUF ,  C08L 83/06 LRY ,  G03F 7/075 511