特許
J-GLOBAL ID：200903090082781905
シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-032692
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる場合に、多結晶シリコンの充填量を増加するようにし、高速引き上げを可能とし、生産性の向上を図る。【構成】シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ1の側壁上端にテーパ寸法5が30mm、テーパ角度が6が45度の上方が拡大したテーパ4を設けた。
請求項（抜粋）：
石英るつぼの側壁上端部に上方が拡大したテーパを設けたことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。
IPC (3件)：
C30B 15/10
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
