シリコン結晶化方法とレーザアニール装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068644
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】アモルファスシリコン膜から大きなグレインを有するシリコン膜を形成することのできるシリコン結晶化方法を提供する。【解決手段】アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、(a)シリコン膜に第1の強度と第1の時間長とを有する第1のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、(b)溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第1の強度より低い第2の強度と第2の時間長とを有する第2のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、(c)照射領域を部分的にずらして前記工程(a)と前記工程(b)とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程とを含み、前記第1および第2のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長400nm〜900nmのレーザ光を加算したものである。

請求項（抜粋）：

アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、(a)シリコン膜に第1の強度と第1の時間長とを有する第1のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、(b)溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第1の強度より低い第2の強度と第2の時間長とを有する第2のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、(c)照射領域を部分的にずらして前記工程(a)と前記工程(b)とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程と、を含み、前記第1および第2のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長400nm〜900nmのレーザ光を加算したものであるシリコン結晶化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (32件)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA07 , 5F052BA14 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052EA15 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP07 , 5F110PP23 , 5F110PP36 , 5F110PP40

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭58-201326
半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-207128 出願人：日本電気株式会社
レーザ熱処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-053340 出願人：株式会社東芝

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