特許
J-GLOBAL ID：200903090094188690
超電導磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-136632
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 通常の状態では磁化が乱雑に配列しているために相殺して磁界を発生していない物質及び磁性を持たない導電性の物質の形状や欠陥を検出することができる磁気センサを提供する。【構成】 超電導磁気センサは、厚さ0.5mmの基板3の片面に形成された超電導磁気抵抗素子1と磁界を印加する手段としてのコイル2とを備えている。この超電導磁気抵抗素子1は、ミアンダ形状に膜形成されたAg添加YBa2Cu3O7-x超電導セラミックス膜から構成されている。コイル2によって、パルスもしくは交流の磁界を検出すべき測定対象に印加することにより、通常の状態では磁化が乱雑に配列している物質の磁化を整列させて内部磁界を発生させて、その内部磁界を超電導磁気抵抗素子1により検出する。
請求項（抜粋）：
測定対象にパルス磁界を印加するパルス磁界発生手段と、前記測定対象から一定の距離に配置された超電導磁気センサとから構成され、前記超電導磁気センサは、基板上に形成された超電導を示す結晶粒が互いに電気的に弱結合している磁気抵抗効果を有するセラミック超電導体からなり、印加されたパルス磁界に応答して前記測定対象に発生する内部磁界の強度に応じて抵抗値の変化を検出することを特徴とする超電導磁気センサ。
IPC (3件)：
G01R 33/035 ZAA
, G01R 33/09 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
