特許

J-GLOBAL ID：200903090094794379

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 横山 文孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126531
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326856
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 微細で、かつ高性能なバイポーラ・トランジスタを有する半導体集積回路装置を得る。【構成】 MOS型素子とバイポーラ型トランジスタを同一半導体基板上に有する半導体集積回路装置において、半導体基板のバイポーラ型トランジスタ側の表面上に形成されるトレンチ26と、そのトレンチ26の側壁部に少なくとも不純物を導入して形成されるN型エミッタ領域29を設ける。

請求項（抜粋）：

MOS型素子とバイポーラ型素子を同一半導体基板上に有する半導体集積回路装置において、(a)半導体基板のバイポーラ型トランジスタ側の表面上に形成されるトレンチと、(b)該トレンチの側壁部に少なくとも不純物を導入して形成されるエミッタを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72