特許

J-GLOBAL ID：200903090106746413

シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ

発明者： 鈴木 克美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118419
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313564
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 開口率が高く、精度の高いシャドウマスクを製造する。【解決手段】 周囲にSiフレーム11を残すようにして、(110)Si単結晶基板21の中心部に数十μmの厚さのシャドウマスク形成領域12を形成する。次に、熱酸化法を用いて、(110)Si単結晶基板21の表裏に熱酸化SiO2膜22を形成する。次に、熱酸化SiO2膜22の表面側(図2(b)の上面)に通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成し、このレジストパターンを保護膜にしてドライエッチングを行い、SiO2パターン22aを形成する。続いて、SiO2パターン22aを保護膜にしてSiを蝕刻することで貫通孔23が形成される。不要となった熱酸化SiO2膜22を、弗酸を用いて蝕刻除去することでシャドウマスク24を得る。

請求項（抜粋）：

蒸着材料を基板に蒸着するに際して用いられる所定のパターンに配列された複数の貫通孔が形成されているシャドウマスクにおいて、開口の形状が矩形で、少なくとも1組の相対する側壁を(111)面とする複数の前記貫通孔が形成され、かつ薄膜化された所定の領域を含む(110)Si単結晶基板を有することを特徴とするシャドウマスク。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A

Fターム (12件)：

3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03