特許

J-GLOBAL ID：200903090110729353

半導体基板における液相エピタキシャル成長装置

発明者： 井上 明彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081467
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277443
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 ガリウムリンウエハー等の半導体基板Aの表面に結晶層を液相エピタキシャル成長にて形成する場合に、前記結晶層の純度を高くすると共に、不良品の発生率を低減する。【解決手段】 半導体基板Aを装填する凹所12と貫通孔13とを備えたボート体11の複数個を、その各々における貫通孔が上段におけるボート体と下段におけるボート体とで互いに反対側に位置するように多段状に積み重ね、最上段のボート体における凹所内に注入したエピタキシャル融液が、各段のボート体における凹所内に装填した各半導体基板の表面を、当該表面に沿ってその一端から他端の方向に流れるようにすることにより、各半導体基板Aの表面にエピタキシャル融液16を表面張力で盛り上げるようにする。

請求項（抜粋）：

耐熱材料製のボート体に、底面に半導体基板を載せるように構成した少なくとも一つの凹所を設けると共に、この凹所の底面のうち前記半導体基板の外側の部分とボート体の下面とを連通する貫通孔を穿設し、このボート体の複数個を、その各々における貫通孔が上段におけるボート体と下段におけるボート体とで互いに反対側に位置するように多段状に積み重ねたことを特徴とする半導体基板における液相エピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 19/06 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/208 L ,  C30B 19/06 Z ,  H01L 33/00 B

Fターム (19件)：

4G077CG10 ,  4G077ED06 ,  4G077EG08 ,  4G077QA54 ,  4G077QA70 ,  5F041AA31 ,  5F041CA63 ,  5F053AA03 ,  5F053BB03 ,  5F053BB14 ,  5F053DD07 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053RR03 ,  5F053RR13