特許
J-GLOBAL ID:200903090112714655

高周波電力増幅回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-145119
公開番号(公開出願番号):特開2003-338712
出願日: 2002年05月20日
公開日(公表日): 2003年11月28日
要約:
【要約】【課題】 消費電力低減を図り、かつ増幅開始後の特性変化を低減または解消する。【解決手段】 制御部9は、バイアス制御回路10を制御し、電力増幅回路11で変調波を増幅する事前に、半導体増幅素子の内部温度を上昇させるようなバイアス電圧を供給させる。変調波の増幅が開始されても、すでに内部温度が上昇しているので、特性変化がなくリニアな増幅を行わせることができる。
請求項(抜粋):
半導体電力増幅素子を用いる高周波電力増幅回路において、高周波電力の増幅を行うか否かを判断する判断手段と、判断手段による判断結果に応答する制御手段であって、判断手段が高周波電力の増幅を行わないと判断するときには、半導体電力増幅素子の動作状態を、予め定める省電力状態となるように制御し、判断手段が高周波電力の増幅を行うと判断するときには、半導体電力増幅素子の温度的な動作状態を、高周波電力の増幅を開始する前に、予め定める電力増幅状態となるように制御する、そのような制御手段とを含むことを特徴とする高周波電力増幅回路。
IPC (2件):
H03F 1/02 ,  H03F 3/24
FI (2件):
H03F 1/02 ,  H03F 3/24
Fターム (68件):
5J091AA01 ,  5J091AA41 ,  5J091CA21 ,  5J091CA36 ,  5J091FA10 ,  5J091HA09 ,  5J091HA33 ,  5J091HA43 ,  5J091KA03 ,  5J091KA12 ,  5J091KA33 ,  5J091KA34 ,  5J091KA53 ,  5J091KA55 ,  5J091KA62 ,  5J091KA64 ,  5J091MA21 ,  5J091SA14 ,  5J091TA01 ,  5J091TA03 ,  5J091TA06 ,  5J091TA07 ,  5J091UW08 ,  5J092AA01 ,  5J092AA41 ,  5J092CA21 ,  5J092CA36 ,  5J092FA10 ,  5J092HA09 ,  5J092HA33 ,  5J092HA43 ,  5J092KA03 ,  5J092KA12 ,  5J092KA33 ,  5J092KA34 ,  5J092KA53 ,  5J092KA55 ,  5J092KA62 ,  5J092KA64 ,  5J092MA21 ,  5J092SA14 ,  5J092TA01 ,  5J092TA03 ,  5J092TA06 ,  5J092TA07 ,  5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC21 ,  5J500AC36 ,  5J500AF10 ,  5J500AH09 ,  5J500AH33 ,  5J500AH43 ,  5J500AK03 ,  5J500AK12 ,  5J500AK33 ,  5J500AK34 ,  5J500AK53 ,  5J500AK55 ,  5J500AK62 ,  5J500AK64 ,  5J500AM21 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500AT03 ,  5J500AT06 ,  5J500AT07 ,  5J500WU08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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