特許

J-GLOBAL ID：200903090113428567

低ノイズ・高直線性のHEMT-HBT複合装置

発明者： ケヴィン ウェズリー コバヤシ ,  ドワイト クリストファー ストレイト ,  アーロン ケンジ オキ ,  ドナルド カツ ウメモト
出願人/特許権者： ティアールダブリュー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040388
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246877
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 広範囲な用途に有用な種々のトポロジーで構成されたHEMT-HBT集積装置をもつマイクロ波モノリシック集積回路を提供する。【解決手段】 モノリシック集積のHEMT-HBT技術に基づきそして種々のトポロジーで構成された4端子のHEMT-HBT複合装置は、現在個別のMMICを使用している広範囲な用途に有用である。特に、4端子トポロジーは、低ノイズ・高直線性の増幅器及びミクサのような種々の2ポート及び3ポートMMIC回路用途に有用な3端子複合装置として容易に構成され、サイズ及びコストを減少するという効果を発揮する一方、HEMT又はHBTを個々に使用する場合よりも優れた性能を発揮する。

請求項（抜粋）：

ゲート、ソース及びドレイン端子を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)と、ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、ベース端子が上記HEMTのドレイン端子に接続されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)と、を備えたことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積複合装置トポロジー。

IPC (5件)：

H03F 3/04 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H03D 7/00 ,  H03D 7/12

FI (4件)：

H03F 3/04 ,  H03D 7/00 D ,  H03D 7/12 Z ,  H01L 27/06 F