特許

J-GLOBAL ID：200903090116710166

メモリ装置

発明者： レスリー イーネス ボスウェル ,  アンドリュー ブレイク
出願人/特許権者： ノキア モービル フォーンズ リミテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133940
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 フラッシュメモリについて消耗を減らし、長く有効に使用可能とする。【解決手段】 RAMのような揮発性メモリにパラメータデータを記憶させ、そのRAMに記憶されたデータをフラッシュメモリのような不揮発性メモリに定期的に書き込むメモリ管理方法。フラッシュメモリへのデータの書き込みは最新の書き込みからの経過時間もしくはRAM中のデータの重要度によって行われる。

請求項（抜粋）：

揮発性メモリ手段にパラメータデータを表している電子信号を記憶させ、そして前記の揮発性メモリ手段に記憶させたパラメータデータを表している前記の電子信号に対応する電子信号を不揮発性メモリに記憶させ、この不揮発性メモリ手段への電子信号の記憶はパラメータデータの種類によるものであって、それにより不揮発性メモリ手段の消耗を減らすようにしたことを特徴とするメモリ管理方法。

IPC (2件)：

G06F 12/02 510 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

G06F 12/02 510 A ,  G11C 17/00 611 Z