特許
J-GLOBAL ID：200903090119920200
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373087
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176132
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】PINダイオードは個々に要求のある特性をI層の不純物濃度をかえるなどしてチップで作り込んでおり、チップはウエファ単位で製造されるので多種・少量の要求の場合には無駄が多く、コストや時間がかかる問題があった。【解決手段】本発明はRZ-IF特性の異なるまたは同種の複数のPINダイオードをカソードリードに固着して並列にアノードリードに接続するもので、PINダイオードの組み合わせにより要求のある特性を合成するため、PINダイオードの種類が少なくて済む。また、トランジスタのフレームを使用すれば、組立コストも従来通りで実施でき、多種・少量の要求にも無駄なく速やかに対応できる。
請求項（抜粋）：
カソードリードと該カソードリード上に固着したPINダイオードとアノードリードと前記PINダイオードのアノード電極と前記アノードリードを接続するワイヤからなる半導体装置において、前記カソードリード上に複数の前記PINダイオードを固着し並列に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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