特許
J-GLOBAL ID：200903090123642460
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-119471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316335
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 電流駆動特性に悪影響を与えることなく、SOI構造のMOSFETと同程度の優れたソフトエラー耐性と高速化、低消費電力化を可能とした半導体装置を提供する。【構成】 MOSFETを有する半導体装置において、MOSFETのドレイン領域12からソース領域13に亘る領域のうちの少なくとも一部の領域を除いて領域下部を、絶縁層19,19′,20によって半導体基板11から電気的に絶縁する構造とする。
請求項（抜粋）：
MOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記MOS型電界効果トランジスタのドレイン領域からソース領域に亘る領域のうちの少なくとも一部の領域を除いて領域下部を半導体基板から電気的に絶縁する絶縁層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/762
, H01L 27/08 331
, H01L 29/78
H01L 27/08 321 B
, H01L 27/08 331 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 301 X
