特許

J-GLOBAL ID：200903090124110690

基板又は膜の洗浄方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 早見 由香 ,  鈴木 美紀 ,  奥井 芳子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059439
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004074
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】薬液を使用して基板又は膜の表面を洗浄する方法に関し、酸化膜の成長を抑制し、しかも薬品の気化を抑制しながら薬品処理を行うこと。【解決手段】溶存気体あるいは溶存酸素が予め低減された純水によって洗浄用薬剤を希釈した洗浄溶液を用意し、前記洗浄溶液によって半導体、ガラスなどの基板1又は膜を洗浄することを含む。

請求項（抜粋）：

溶存気体あるいは溶存酸素が予め低減された純水によって洗浄用薬剤を希釈した洗浄溶液を用意し、前記洗浄溶液によって基板又は基板上の膜を洗浄することを特徴とする基板又は膜の洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08

FI (3件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  B08B 3/08 Z