電界効果型トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268536
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082560
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 GaAs/AlGaAs形の化合物半導体をエッチングする際の再現性を良好なものとし、電界効果トランジスタの特性向上を図る。また、環境破壊につながるガスを使用しないようにする。【構成】電子供給層として機能するn-AlGaAs層4上にキャップ層としてのn-GaAs層5が形成され、そのGaAs層5が選択的にエッチングされる。この場合において、そのエッチングガスには、炭素とフッ素を構成元素として含むガス、珪素と塩素を構成元素として含むガス及び希ガスの混合ガスが使用される。この混合ガスは極めて選択比が高いため、トランジスタの特性向上等が実現する。また、この混合ガスは脱フロン対策として有効である。

請求項（抜粋）：

チャネル層上にAlGaAs層及びGaAs層を積層し、炭素とフッ素を構成元素として含むガスと、珪素と塩素を構成元素として含むガスと、希ガスとを含んだ混合ガスを用いてAlGaAs層上のGaAs層を選択的にエッチングし、そのエッチングされた領域にゲート電極を形成することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-029323
特開平2-012817
特開平3-029323

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