特許

J-GLOBAL ID：200903090128687860

強誘電体キャパシタ及びその製造方法

発明者： 恵下 隆 ,  袋田 淳史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093067
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289057
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 SrBi2Ta2O9膜等の強誘電体膜を用いた強誘電体キャパシタに関し、電極間のリーク電流の増加や電気的ショートが起きにくく安定動作が可能な強誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の電極32と、第1の電極32上に形成された強誘電体膜26と、強誘電体膜26の表面の凹部に埋め込まれた絶縁膜28と、絶縁膜28が埋め込まれた強誘電体膜26上に形成された第2の電極34とにより強誘電体キャパシタを構成する。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜の表面の凹部に埋め込まれた絶縁膜と、前記絶縁膜が埋め込まれた前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを有することを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651