特許
J-GLOBAL ID：200903090128953102
薄膜の堆積方法及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326557
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 所定の形状に形成されたシリコンあるいはシリコンを主成分として有する領域が存在する基板上に、不連続かつ高温で非単結晶シリコン薄膜を堆積した際に生じるシリコンあるいはシリコンを主成分として有する領域上の非単結晶シリコン薄膜の剥離を防止する薄膜の堆積方法とその堆積方法を用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 既にシリコンあるいはシリコンを主成分として有する領域が存在する基板上に不連続で非単結晶シリコン薄膜を堆積する際に、非単結晶シリコン薄膜を堆積する前に基板表面を水素を含むプラズマで処理してから非単結晶シリコン薄膜の堆積を行う。
請求項（抜粋）：
所定の形状に形成されたシリコンあるいはシリコンを主成分として有する領域が存在する基板上に非単結晶シリコン薄膜を堆積する際に、前記基板表面を水素を含むプラズマで処理した後に前記薄膜を堆積することを特徴とする薄膜の堆積方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
