特許

J-GLOBAL ID：200903090129535592

固体撮像素子

発明者： 中島 和敏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053264
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 縦形オーバフロードレイン構造を有する固体撮像素子において、大光量が入射した場合にも、基板側へオーバフローしきれなかった電荷を垂直転送部側にあふれないようにし、画面が垂直方向の流れる現象を防止する。【解決手段】 基板101にマトリクス状に受光部104が設けられ、垂直列毎に垂直転送レジスタVRが形成され、各受光部104と垂直転送レジスタVRとの間に読み出しゲート部RGが形成されている。また、垂直方向の各受光部104の間には、画素間分離層200が設けられている。この画素間分離層200は、各受光部104間のn型領域によって構成されており、受光部104に大量の光が入射した場合に、上述したオーバフローバリア層を越えて基板101の深部側に排出しきれなかった電荷を当該受光部104の垂直方向に隣接した受光部104に排出させる電荷排出機能を得るためのものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた撮像領域内にマトリクス状に配設され、蓄積期間に被写体からの入射光をその光量に応じた信号電荷に光電変換する複数の受光部と、前記受光部の垂直列毎に設けられ、電荷転送期間に各受光部からの信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記各受光部と前記垂直転送部との間に設けられ、読み出し期間に前記受光部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送部に転送する読み出しゲート部と、前記半導体基板における前記受光部の深部に設けられ、前記受光部に電荷を蓄積するためのオーバフローバリア層とを有し、前記受光部に蓄積された一定量以上の電荷を前記オーバフローバリア層を越えて基板の深部側に排出する縦形オーバフロードレイン構造を有する固体撮像素子において、前記受光部に大量の光が入射した場合に、前記オーバフローバリア層を越えて基板の深部側に排出しきれなかった電荷を当該受光部の垂直方向に隣接した受光部に排出させる電荷排出機能を設けた、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 U

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  5C024AA01 ,  5C024CA03 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA22 ,  5C024GA26 ,  5C024GA44 ,  5C024GA45 ,  5C024JA21