特許

J-GLOBAL ID：200903090141489121

マイクロ構造体の形成法

発明者： 八木 隆行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215861
公開番号（公開出願番号）：特開平8-084484
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ構造体及び基板の材料に制約されることなくマイクロ構造体上に電極パターンを形成して基板と電気的接続が可能な優れたマイクロ構造体の形成法を提供する。【構成】 第1基板上に樹脂膜より成る犠牲層及び接着層を形成する工程、第2基板上に構造体層を形成する工程、前記接着層を介して第1基板と構造体層を接着する工程、前記第2基板を除去する工程、前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程、並びに前記犠牲層及び接着層を除去する工程、を有するマイクロ構造体の形成法が提供される。

請求項（抜粋）：

マイクロ構造体を形成する方法において、該方法が、(1)第1基板上に樹脂膜より成る犠牲層及び接着層を形成する工程、(2)第2基板上に構造体層を形成する工程、(3)前記接着層を介して第1基板と構造体層を接着する工程、(4)前記第2基板を除去する工程、(5)前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程、(6)前記犠牲層及び接着層を除去する工程、から成る各工程を有することを特徴とするマイクロ構造体の形成法。