特許

J-GLOBAL ID：200903090142126383

半導体装置の製造方法及び半導体封止用樹脂シート

発明者： 西村 充史 ,  風間 真一 ,  原田 雅夫
出願人/特許権者： 京セラケミカル株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-121572
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303119
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】簡便な工程により、半導体素子の周囲を樹脂で取り囲み、かつ、受光部を覆わないように開口部を保持することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体封止のために加熱溶融させたときの溶融粘度が10〜300Pa・sである熱硬化型樹脂シートの所定の箇所に開口部を設ける工程と、開口部を回路基板に固定された半導体素子に位置を合わせながら、回路基板上に熱硬化型樹脂シートを積層する工程と、積層した熱硬化型樹脂シートを、0〜0.5MPaの圧力で加圧して加熱硬化させる工程と、を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体封止のために加熱溶融させたときの溶融粘度が10〜300Pa・sである熱硬化型樹脂シートの所定の箇所に開口部を設ける工程と、 前記開口部を回路基板に固定された半導体素子に位置を合わせながら、回路基板上に前記熱硬化型樹脂シートを積層する工程と、 前記積層した熱硬化型樹脂シートを、0〜0.5MPaの圧力で加圧して加熱硬化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  C08L 63/00 ,  H01L 31/02

FI (3件)：

H01L21/56 R ,  C08L63/00 A ,  H01L31/02 B

Fターム (37件)：

4J002BG04Z ,  4J002BN15Z ,  4J002CC04X ,  4J002CC07X ,  4J002CD00Z ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CP03Z ,  4J002DA037 ,  4J002DE077 ,  4J002DE137 ,  4J002DE147 ,  4J002DJ017 ,  4J002DJ047 ,  4J002DK008 ,  4J002EN008 ,  4J002ET006 ,  4J002EU118 ,  4J002EW138 ,  4J002FD017 ,  4J002FD148 ,  4J002FD15X ,  4J002FD156 ,  4J002FD209 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA22 ,  5F061DE02 ,  5F061DE03 ,  5F061FA01 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088JA03 ,  5F088JA05 ,  5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光素子の実装構造体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-059921   出願人：松下電器産業株式会社