有機トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-013274
公開番号（公開出願番号）：特開2008-181993
出願日： 2007年01月24日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に[1]ベンゾチオピラノ[6,5,4-def]-1-ベンゾチオピラン誘導体を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に[1]ベンゾチオピラノ[6,5,4-def]-1-ベンゾチオピラン誘導体を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/78 618B

Fターム (45件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN27

引用特許：

出願人引用 (1件)

ゲート絶縁膜の改質した表面を有する有機薄膜トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-575431 出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る