特許
J-GLOBAL ID：200903090151661070
半導体装置の配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077225
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】 半導体装置の製造段階でウェーハ1上に配線される電流の流れる本配線2の両側部に電流を流さないダミー配線5を設けることにより、配線不良の発生を抑制することを可能とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造段階でウェーハ上に配線を形成する方法であって、電流の流れる本配線の両側部に電流を流さないダミー配線を設けたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 27/04
