特許

J-GLOBAL ID：200903090164567766

インドール誘導体三量体酸化体の製造方法およびインドール誘導体三量体酸化体とその積層構造体

発明者： 前田 晋一 ,  齋藤 隆司 ,  齋藤 嘉一
出願人/特許権者： 三菱レイヨン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358006
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002286
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】インドール誘導体三量体酸化体を高収率、高純度で大量合成することができる工業的な製造方法及びその方法により得られた導電性を有する酸化還元電位、酸化還元容量、サイクル特性が良好な新規なインドール誘導体三量体酸化体を提供。【解決手段】インドール誘導体三量体(A)を、水、有機溶媒などの溶媒中で、酸化剤により酸化することを特徴とするインドール誘導体三量体酸化体の製造方法およびそれにより得られた新規インドール誘導体三量体酸化体、積層構造を持つインドール誘導体三量体酸化体。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)

IPC (2件)：

C07D487/14 ,  C09K3/16

FI (2件)：

C07D487/14 ,  C09K3/16 105Z

Fターム (9件)：

4C050AA08 ,  4C050BB04 ,  4C050CC04 ,  4C050DD01 ,  4C050EE03 ,  4C050FF01 ,  4C050GG01 ,  4C050HH01 ,  4C050KC01

引用文献：

審査官引用 (2件)

• J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2, 2000, pp.2337-2342
• J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2, 2000, pp.2337-2342