特許
J-GLOBAL ID：200903090165558175
SOI基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020895
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】SOI基板を構成するシリコン基板と光透過性絶縁板間に入り込んだガスを膨張させないで両基板間の密着性を向上させ、しかも高能率のSOI基板の製造方法を提供する。【構成】シリコン基板11上に光透過性絶縁基板15を重ね載置する工程、前記光透過性絶縁基板上からレーザ照射する工程、とからなる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に光透過性絶縁基板を重ね載置する工程、前記光透過性絶縁基板上からレーザ照射する工程、とからなることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/268
, H01L 27/12
