特許

J-GLOBAL ID：200903090165737690

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： 岩室 憲幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052979
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259462
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】ターンオフ時のdV/dtによりゲート電極を含むコンデンサ構造を流れる変位電流を抑制してターンオフSOAを大きくする。【構成】ゲート電極とゲート電源の間に放電用ゲート抵抗に直列接続された抵抗性負荷を挿入することにより変位電流を抑制し、再ターンオンを防止してSOAを大きくする。

請求項（抜粋）：

第一導電型を有する第一領域と、その第一領域上の第二導電型を有する第二領域と、その第二領域上の第二導電型を有する低不純物濃度の第三領域と、その第三領域表面層に選択的に形成された第一導電型を有する第四領域と、その第四領域表面層に選択的に形成された第二導電型を有する高不純物濃度の第五領域と、前記第四領域表面部の第三領域および第五領域によってはさまれた部分をチャネル領域としてその上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記第四領域表面および第五領域表面に共通に接触するソース電極と、前記第一領域に接触するドレイン電極とから構成されたものにおいて、ゲート電極とゲート電源の間に抵抗と誘導性負荷とが直列接続して挿入されたことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。