特許
J-GLOBAL ID：200903090168542415
薄膜多層基板におけるビア形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302965
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜多層基板におけるビアの形成方法に関するもので、より容易な方法で、より厚い誘電体層に柱状(いわばスタックト形)のビア(ビアポスト)を形成し、高密度化ができる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、基板3上に下層誘電体2、その上に下層導体を形成した上に、第1のレジスト4を塗布し、ビア形成部分を開口して、そこに第1のメッキ5を施し、次いで前記第1のレジスト4を除去して、その後、第1のレジスト4より粘度の高い第2のレジスト6を塗布して、第1のレジスト4と同じ部分を開口し、そこに第2のメッキ7を施し、第1のメッキ5と接続してビアを形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
(a)基体となる基板上に形成された下層導体の上に、第1のレジストを塗布して、ビア形成部分に開口部を形成する工程、(b)前記開口部にビアとなる第1のメッキを施した後、前記第1のレジストを除去する工程、(c)前記構造の上に第2のレジストを塗布して、前記第1のレジストのパターンと同じ部分に開口部を形成する工程、(d)前記開口部にビアとなる第2のメッキを、前記第1のメッキと接続するように形成した後、前記第2のレジストを除去する工程、以上の工程を含むことを特徴とする薄膜多層基板におけるビア形成方法。
IPC (2件)：
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