多層配線構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251566
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】高信頼性、低抵抗で、微細化が可能なビアホール構造を実現する。【構成】銅入りアルミニウム103と窒化チタン104の積層構造により形成された配線の上に形成された層間絶縁膜105に電気的な接続をとるためのビアホールの構造で、ビアホール側壁部のみがチタンタングステン107で囲まれており、電気的な接続は銅入りアルミニウム110で、下層の配線を形成している銅入りアルミニウム103と直接に接触することによりなされている構造で、低抵抗で、信頼性の高いビアホールが実現できる。さらにチタンタングステンがビアホール側壁にあることから、上部配線とビアホールがずれても、下層の配線が加工時に切れるのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属配線と、その上に形成された絶縁膜に開口されたビアホールを介して、絶縁膜上の金属配線との間に電気的に接続をとる多層配線構造において、ビアホール側壁部のみが、高融点金属でかこまれ、かつ、ビアホール中心部が、上下の金属配線と同一の材料で埋め込まれていることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

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