特許

J-GLOBAL ID：200903090170878030

セラミック多層基板におけるヴィア形成方法

発明者： 宇都宮 次郎 ,  成見 勲 ,  渋谷 仁 ,  高橋 恵一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105221
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029666
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 セラミック誘電体層のヴィアの突出部をなくし、搭載部品の実装信頼性の向上を図り得るセラミック多層基板におけるヴィア形成方法を提供する。【構成】 セラミック多層基板の各セラミック誘電体層に形成された導体を各層毎に導通させるセラミック多層基板におけるヴィア形成方法において、セラミック誘電体層21に貫通穴22を形成し、そのセラミック誘電体層21の裏面に吸取薬紙24を貼り付け、その貫通穴22にヴィア印刷を行い、そのセラミック誘電体層21の表面にも吸取薬紙26を貼り付け、乾燥を行った後、前記表裏面の吸取薬紙24,26を剥がし、ヴィアの突出部を除去する。

請求項（抜粋）：

セラミック多層基板の各セラミック誘電体層に形成された導体を各層毎に導通させるセラミック多層基板におけるヴィア形成方法において、(a)セラミック誘電体層に貫通穴を形成する工程と、(b)該セラミック誘電体層の裏面に吸取薬紙を貼り付ける工程と、(c)前記貫通穴にヴィア印刷を行う工程と、(d)前記セラミック誘電体層の表面に吸取薬紙を貼り付ける工程と、(e)乾燥を行う工程と、(f)前記表裏面の吸取薬紙を剥がしヴィアの突出部を除去する工程とを施すことを特徴とするセラミック多層基板におけるヴィア形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/40