特許

J-GLOBAL ID：200903090173015601

半導体圧力センサ

発明者： 有井 康孝
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018438
公開番号（公開出願番号）：特開平10-213503
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤフラムの厚みを薄くすることなく、フルスケール電圧の特性を高出力化することのできる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 歪みゲージとしてのピエゾ抵抗R1〜R4によりブリッジ回路Aが構成され、歪みゲージとしてのピエゾ抵抗R5〜R8によりブリッジ回路Bが構成されて、ブリッジ回路Aの高電位側電源供給端a1と、ブリッジ回路Bの高電位側電源供給端b1とは、電源Vに接続されており、ブリッジ回路Aの低電位側電源供給端a2と、ブリッジ回路Bの低電位側電源供給端b2とはグランド(GND)に接続されている。また、ブリッジ回路Aの低電位側出力端a3とブリッジ回路Bの高電位側出力端b3とは、減算増幅器1aを介して接続されており、ブリッジ回路Aの高電位側出力端a4とブリッジ回路Bの低電位側出力端b4とは、減算増幅器1bを介して接続されている。そして、減算増幅器1a,1bの出力は、加算増幅器2aに接続されている。

請求項（抜粋）：

薄肉状のダイヤフラムを有する半導体基板と、前記ダイヤフラムの略中央部に2つと、周辺部に2つ形成された歪みゲージとを有して成り、該歪みゲージがブリッジ回路を構成して成る半導体圧力センサにおいて、前記ブリッジ回路を複数構成し、該ブリッジ回路の高電位側電源供給端に電源を接続し、前記ブリッジ回路の低電位側出力端と隣接する前記ブリッジ回路の高電位側出力端とを減算増幅器を介して接続し、初段の前記ブリッジ回路の高電位側出力端と、最終段の前記ブリッジ回路の低電位側出力端とを減算増幅器を介して接続し、前記減算増幅器の出力電圧を加算増幅器に入力し、該加算増幅器により複数の前記ブリッジ回路の高電位側出力端と低電位側出力端との間の出力電圧の和を得るようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 9/00

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 9/00 E