特許
J-GLOBAL ID：200903090176768082
超電導線及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242742
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】臨界電流密度などの超電導特性が改善された超電導線を得る。【構成】環状のNb3 Sn化合物超電導体と、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体の内側に隣接する内側CuSn合金と、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体の外側に隣接する外側CuSn合金とを具備する多芯Nb3 Sn化合物超電導線であって、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体が前記内側及び外側の両方のCuSn合金からのSnの拡散により生成されたものであり、かつ前記外側CuSn合金のSn濃度を前記内側CuSn合金よりも高くする。
請求項（抜粋）：
環状のNb3 Sn化合物超電導体と、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体の内側に隣接する内側CuSn合金と、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体の外側に隣接する外側CuSn合金とを具備する多芯Nb3 Sn化合物超電導線であって、前記環状のNb3 Sn化合物超電導体が前記内側及び外側の両方のCuSn合金からのSnの拡散により生成されたものであり、かつ前記外側CuSn合金のSn濃度が前記内側CuSn合金よりも高いことを特徴する超電導線。
IPC (3件)：
H01B 12/10 ZAA
, C23C 10/28
, H01B 13/00 565
