特許
J-GLOBAL ID：200903090178539927
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343932
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196820
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 0.98μm帯半導体レーザで、高出力化のために活性層幅を広げても容易に基本モードが維持される構造を、Alを含む層を一切使わずに作る。【構成】 活性層104上の第1光閉じ込め層105上に、薄いGaInPより成るエッチングストップ層106がある。その上にInGaAsP106の第2の光閉じ込め層107とGaInPのクラッド層より成るメサがあり、メサの側面とエッチングストップ層106を覆うようにGaInPの電流阻止層がある。InGaAsPはGaInPより僅かに屈折率が高いだけなので、メサ幅を広くして高出力化を図っても基本横モードが維持できる。また、メサのエッチング工程に全て選択エッチングが使える。結晶成長される面にAlは全く無く、Asの量も微量なので、昇温時には、燐化合物のみを雰囲気中に入れるだけで、V属原子の気化を防ぐことが出来る。良好な結晶成長界面が得られるので、高い信頼性が得られる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板を主部分とする基体上に形成された活性層の一主面上に、AlXGa1ーXAs(0≦X≦1)より成る第1の光閉じ込め層と、導波光の光分布を乱さない程度に薄いGaInPより成るエッチングストップ層が順次形成されており、前記エッチングストップ層の上には光の導波方向に沿ってストライプ状のInGaAsPより成る第2の光閉じ込め層が延在しており、前記第2の光閉じ込め層上にはそれと同じ幅のGaInPより成るクラッド層があり、前記第2の光閉じ込め層とクラッド層の側面と前記エッチングストップ層上にはGaInPより成る電流阻止層があり、屈折率は、第1の光閉じ込め層、第2の光閉じ込め層、クラッド層の順で低くなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/306
, H01L 21/47
