堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-288573
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】帯状基体207上に、均質な堆積膜を形成する。【解決手段】内部を減圧状態に保つための真空容器203内には、ガス導入管211bに接続されている中空部と、中空部から外部に連通している複数の放出孔101とを有する、棒上のアンテナ状放電電極101が設けられている。堆積膜の原料となる原料ガスを、放出孔107から放出させつつ、アンテナ状放電電極101に高周波電力を導入して放電させることにより、アンテナ状放電電極101の表面付近でプラズマ化させ、プラズマ化させた原料ガスを帯状基体207の堆積膜形成面に、実質的に均等に導入し、均質な堆積膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

原料ガスを、内部を減圧状態に保った真空容器内に、ガス導入管を介して導入しつつ、前記真空容器内に配置されている放電電極に電力を導入して放電させて、プラズマ化させる工程と、プラズマ化させた前記原料ガスを、前記真空容器内に配置されている基体上に堆積させる工程とを有する、プラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記放電電極として、前記ガス導入管に接続された中空部と、該中空部から外部に連通する複数の放出孔とを有する、アンテナ状放電電極を設け、前記原料ガスを、前記中空部を介して前記放出孔から放出させることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/455 , C23C 16/509 , H01L 21/205 , H01L 31/04 , H05H 1/24

FI (6件)：

C23C 16/455 , C23C 16/509 , H01L 21/205 , H05H 1/24 , H01L 31/04 V , H01L 31/04 T

Fターム (55件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030CA02 , 4K030CA17 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA04 , 4K030GA14 , 4K030HA02 , 4K030JA18 , 4K030KA12 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF07 , 5F045BB01 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045CA15 , 5F045CA16 , 5F045DA65 , 5F045DP22 , 5F045EB02 , 5F045EF03 , 5F045EH05 , 5F045EH12 , 5F045HA25 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA16 , 5F051CA22 , 5F051CA23 , 5F051CA35 , 5F051CA36 , 5F051CA37 , 5F051DA04 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA23 , 5F051GA02

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