特許

J-GLOBAL ID：200903090184432220

半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132817
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326402
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 所望の反射率の共振器ミラー有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 両端に共振器ミラー4を有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子において、各共振器ミラー4を、バンドギャップ波長が発振波長よりも短く、屈折率が相互に異なり、厚さが発振波長の1/4n(n:屈折率)である2種類の半導体層を交互に積層し、所望の半導体層の層数を有する半導体多層膜により構成する。

請求項（抜粋）：

両端に共振器ミラーを有するファブリ・ペロー型半導体レーザ素子において、各共振器ミラーは、バンドギャップ波長が発振波長よりも短く、屈折率が相互に異なり、厚さが発振波長の1/4n(n:屈折率)である2種類の半導体層を交互に積層し、所望の半導体層の層数を有する半導体多層膜により構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。