特許
J-GLOBAL ID：200903090185348681
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077419
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270704
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 面積を増大させることなく簡便に、SOI構造の半導体集積回路の動作時の電源線と接地線の電位の揺らぎを低減すると同時に放熱効率を向上し、動作信頼性を改善する。【解決手段】 SIO構造の半導体集積回路装置において、トランジスタ5p,5nの埋め込み絶縁層4の下部にN形半導体導電領域2とP形半導体導電領域3を形成し、トランジスタのグローバルな電源線6とN形導電領域2をスイッチなどを介さず直接接続し、同様にトランジスタのグローバルな接地線7とP形導電領域3を直接接続する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁層を介して形成された半導体層にトランジスタが形成された半導体集積回路装置において、該絶縁層の下部にN形半導体導電領域とP形半導体導電領域を互いに接するように形成し、該半導体集積回路の電源線と該N形半導体導電領域を直接接続し、該半導体集積回路の接地線と該P形半導体導電領域を直接接続したことを特徴とするSOI形半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 626 C
, H01L 27/12 Z
, H01L 29/78 613 A
