特許

J-GLOBAL ID：200903090186454400

金属除去方法

発明者： 上村 賢一 ,  森 良弘 ,  大塚 進
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298178
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明方法は、半導体製造工程において、金属を効率よく除去し、清浄度の高いシリコンウェハおよび半導体製造を提供する。【解決手段】 洗浄液に少なくとも2つの電極を設けて、その電極間に電圧を印加し、金属を除去することを特徴とする金属除去方法である。更に電極として、参照電極を用いて電圧を制御することも特徴とする金属除去方法である。

請求項（抜粋）：

洗浄液中に少なくとも2つの電極を設け、該電極間に電圧を印加し、金属を除去することを特徴とする金属除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B03C 5/00 ,  C02F 1/461

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 Z ,  B03C 5/00 A ,  C02F 1/46 101 B