特許
J-GLOBAL ID：200903090188185457
半導体用光学近接補償マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231506
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】補助パターンを形成し、主パターンの隅部における歪曲現象及びオーバーシュート現象を効果的に防止する半導体用光学近接補償マスクを提供する。【解決手段】半導体用光学近接補償マスクは、透明マスク原板1と、該透明マスク原板1上に遮光膜によって形成される主パターン2と、該主パターン2の隅部と点接触し、なおかつ該主パターン2の隅部から該隅部の外縁線に対し135°近傍、例えば、135±10°の角度を有して隅部の外方に延びる直線上に中心が位置している微小な四角形であって、前記主パターン2と同様な遮光性、具体的には、光が透過可能な振幅のしきい値及び位相が同様である補助パターン30aと、を備えて構成されている。
請求項（抜粋）：
マスク原板と、該マスク原板上に形成された遮光性を有する主パターンと、該主パターンの隅部から該隅部の外縁線に対し、135°近傍の角度を有して該隅部の外方に延びる直線上に、前記主パターンと同様な遮光性を有する光学近接補償用の補助パターンと、を備えて構成されたことを特徴とする半導体用光学近接補償マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
