半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071812
公開番号（公開出願番号）：特開平7-281842
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】フラッシュメモリを頻繁に書換えて劣化を起こし、装置寿命が短くなることを防ぐことを目的とする。【構成】主格納メモリであるフラッシュメモリと、代替メモリ用の強誘電体メモリ、そして格納するファイルデータの書換え頻度を調べる書換え頻度管理手段、さらに外部とデータをやり取りする入出力手段を備える記憶装置であり、最初、格納ファイルデータは主格納メモリに格納し、使用するうちに書換え頻度管理手段が書換え頻度を調べ、書換え頻度が著しく高く、フラッシュメモリの寿命を縮めると判断されるファイルを特定できたら、このファイルの格納場所を強誘電体メモリに遷移させる。

請求項（抜粋）：

フラッシュメモリを記憶媒体とした記憶装置において、記憶データを入出力するためのバス接続手段と、バスとの接続を制御するバス制御手段と、前記フラッシュメモリの書換え頻度を管理するメモリ管理手段と、強誘電体メモリを記憶媒体としてフラッシュメモリの代替を目的とした代替記憶手段と、前記フラッシュメモリおよび前記代替記憶手段のメモリを制御するメモリ制御手段と、前記メモリ管理手段によりフラッシュメモリに格納すべきデータではないと判断されたら、前記代替記憶手段に転送する転送手段と、記憶データの格納場所を記憶する格納管理手段と、前記各手段を統括して処理制御する中央処理手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 3/08 , G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (10件)

データ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289779 出願人：三菱電機株式会社
フラッシュメモリの寿命検出方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203439 出願人：株式会社日立製作所
強誘電体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-033648 出願人：富士通株式会社

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