特許

J-GLOBAL ID：200903090194004219

ヒートスプレッダ付き半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮▲崎▼ 崇誌
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213224
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033411
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 ヒートスプレッダと半導体チップとの間の熱膨張係数の差に起因する応力による制限を受けず、接着剤の保存安定性及びフィラーの均一分散性を考慮する必要が無く、熱圧着用ツールを不要にしてそれに起因する半導体チップの損傷を回避し、処理時間の迅速化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ヒートスプレッダ付き半導体装置は、多層配線基板1上に、半導体チップ2が電極パッド5及び絶縁性樹脂4を介して搭載されている。この半導体チップ2の側部の基板1上は絶縁性樹脂層6により封止され、半導体チップ2の表面の露出面に接触する銅ペースト膜7が形成されている。銅ペースト膜7がヒートスプレッダとして機能する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に搭載された半導体チップと、この半導体チップの側部の前記基板上を封止する絶縁性樹脂層と、前記半導体チップの表面の露出面に接触する銅ペースト膜とを有し、前記銅ペースト膜がヒートスプレッダとして機能することを特徴とするヒートスプレッダ付き半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/36 Z

Fターム (8件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13