特許

J-GLOBAL ID：200903090196935643

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 邦広
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121735
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電圧のばらつきの小さなMOSFETの製造方法に関し,結晶欠陥のないチャネル領域を形成することを目的とする。【構成】 半導体基板上にソース領域8及びドレイン領域7と,チャネル6aが形成される不純物領域6を有するMOSFETを含む半導体装置の製造方法において,半導体基板1表面の少なくともチャネル6aが形成されるべき領域を覆う酸化膜3を形成し,酸化膜3上に少なくともチャネル6aが形成されるべき領域を覆う不純物が添加されたポリシリコン層4を堆積し,ポリシリコン層4を覆う不純物の外方拡散防止膜5を堆積し,水素ガス又は水素の混合ガス中でする拡散熱処理により,ポリシリコン層4中の不純物を酸化膜3を透過して該基板1表面に拡散させ不純物領域6を形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)に設けられたソース領域(8)及びドレイン領域(7)と,該ソース領域(8)と該ドレイン領域(7)の間の該半導体基板(1)表面に設けられた不純物領域(6)にチャネル(6a)が形成される金属・酸化膜・電界効果トランジスタ(MOSFET)を有する半導体装置の製造方法において,該半導体基板(1)表面の少なくとも該チャネル(6a)が形成されるべき領域を覆う酸化膜(3)を形成し,該酸化膜(3)上に少なくとも該チャネル(6a)が形成されるべき領域を覆う不純物が添加されたポリシリコン層(4)を堆積し,該ポリシリコン層(4)を覆う該不純物の外方拡散防止膜(5)を堆積し,水素ガス又は水素の混合ガス中でする拡散熱処理により,該ポリシリコン層(4)中の該不純物を該酸化膜(3)を透過して該基板(1)表面に拡散させ該不純物領域(6)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 G