特許

J-GLOBAL ID：200903090198064542

酸化膜形成法と磁気トンネル接合素子の製法

発明者： 日比野 三十四
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386449
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190632
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 下地層を酸化することなく薄いアルミナ等の酸化膜を短時間で形成する方法を提供する。【解決手段】 例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ni-Fe合金等の強磁性層16の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層16の上にスパッタ法によりアルミニウム膜18を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜18の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜18を酸化する。アルミニウム膜18の厚さを1[nm]とし、被着するアルミナ膜の厚さを0.2[nm]とすると、強磁性層16の上には、アルミニウム膜18を酸化したアルミナ膜と被着したアルミナ膜との積層からなる厚さ約1.5[nm]のアルミナ膜が形成される。強磁性層16の表面は、アルミニウム膜18により酸化が防止される。

請求項（抜粋）：

酸化性の下地層の上にスパッタ法により導電材を被着して導電膜を形成する工程と、酸化性雰囲気中で反応性スパッタ法により前記導電材の酸化物を前記導電膜の上に被着しつつ前記導電膜を酸化することにより前記導電膜を酸化した第1の酸化膜と被着した酸化物からなる第2の酸化膜とを含む第3の酸化膜を前記下地層の上に形成する工程とを含む酸化膜形成法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (8件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭55-015950