特許
J-GLOBAL ID:200903090201470670
マグネシウム系水素貯蔵材料およびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-097008
公開番号(公開出願番号):特開2005-279438
出願日: 2004年03月29日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 水素貯蔵量が大きく、貯蔵した水素をより低温域で取り出すことのできるマグネシウム系水素貯蔵材料を提供する。また、そのようなマグネシウム系水素貯蔵材料を、高純度で簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 マグネシウム系水素貯蔵材料は、組成式(Mg1-xMx)(NH2)2±y{Mは、アルカリ元素およびアルカリ土類元素から選ばれる一種以上、0≦x≦0.75、0≦y≦0.75}で表される。あるいは、組成式(Mg1-xMx)(NH)1±y{Mは、アルカリ元素およびアルカリ土類元素から選ばれる一種以上、0≦x≦0.75、0≦y≦0.75}で表される。これらのマグネシウム系水素貯蔵材料を、例えば、マグネシウム系水素化物原料に、窒素源となる反応ガスを、熱および機械的エネルギーの少なくとも一方を加えながら反応させ、NH結合を生成させて製造する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
組成式(Mg1-xMx)(NH2)2±y{Mは、アルカリ元素およびアルカリ土類元素から選ばれる一種以上、0≦x≦0.75、0≦y≦0.75}で表されるマグネシウム系水素貯蔵材料。
IPC (3件):
B01J20/04
, C01B3/00
, C01B21/092
FI (4件):
B01J20/04 A
, B01J20/04 C
, C01B3/00 B
, C01B21/092
Fターム (7件):
4G066AA11A
, 4G066AA11B
, 4G066AA51D
, 4G066AA52D
, 4G066CA38
, 4G066EA20
, 4G140AA46
引用特許:
引用文献:
前のページに戻る